

*本文轉(zhuǎn)載自:CTI華測(cè)半導(dǎo)體測(cè)試與分析服務(wù)公眾號(hào)
繼CTI華測(cè)檢測(cè)半導(dǎo)體檢測(cè)及分析中心合肥FA實(shí)驗(yàn)室完成場(chǎng)地?cái)U(kuò)容、硬件煥新后,我們又迎來關(guān)鍵一步:國(guó)儀量子SEM-4000X場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡已于2026年3月正式導(dǎo)入運(yùn)營(yíng),中部地區(qū)半導(dǎo)體微納分析能力再上新臺(tái)階!
此前,實(shí)驗(yàn)室已通過場(chǎng)地科學(xué)布局與硬件擴(kuò)容,實(shí)現(xiàn)化性實(shí)驗(yàn)、切片實(shí)驗(yàn)兩大核心環(huán)節(jié)產(chǎn)能提升超50%。如今SEM-4000X投用,讓實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)從“效率提升"到“精度升級(jí)"的關(guān)鍵跨越。

高清成像,精準(zhǔn)捕捉微納細(xì)節(jié)
專為半導(dǎo)體失效分析與材料表征設(shè)計(jì),低電壓模式下可清晰捕捉芯片微納結(jié)構(gòu),有效減少荷電效應(yīng)和輻照損傷,讓缺陷與界面信息無所遁形。

大樣兼容,適配多元分析需求
配備快速換樣倉,可支持4寸晶圓(直徑100mm),滿足客戶對(duì)更大尺寸樣品的分析需求,適配晶圓、元器件等多樣品形態(tài)檢測(cè)。

SEM-4000X核心參數(shù)
分辨率:0.9nm@30KV(SE),1.0nm@15KV(SE),1.8nm@1KV(SE)
加速電壓:200V-30KV
放大倍率:1~1,000,000X
樣品臺(tái)行程:X=110mm,Y=110mm,Z=50mm,支持-10°~+70°傾斜
電子槍類型:肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性
實(shí)驗(yàn)室已完成“效率+精度"雙重升級(jí),將以更高效的制樣流程、更精準(zhǔn)的微納分析能力,為半導(dǎo)體、新能源、先進(jìn)制造等行業(yè)提供可靠檢測(cè)支撐。
未來,CTI華測(cè)檢測(cè)半導(dǎo)體檢測(cè)及分析中心合肥FA實(shí)驗(yàn)室將持續(xù)深耕技術(shù)、優(yōu)化服務(wù),以硬核實(shí)力助力客戶定位問題、優(yōu)化產(chǎn)品性能,攜手行業(yè)伙伴探索半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多可能。
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